目录<br>前言<br>第1章绪论<br><br>1.1引言<br>1.2基本半导体元器件结构<br>1.2.1无源元件结构<br>1.2.2有源器件结构<br>1.3半导体器件工艺的发展历史<br>1.4集成电路制造阶段<br>1.4.1集成电路制造的阶段划分<br>1.4.2集成电路时代划分<br>1.4.3集成电路制造的发展趋势<br>1.5半导体制造企业<br>1.6基本的半导体材料<br>1.6.1硅——最常见的半导体<br>材料<br>1.6.2半导体级硅<br>1.6.3单晶硅生长<br>1.6.4IC制造对衬底材料的<br>要求<br>1.6.5晶体缺陷<br>1.6.6其他半导体材料<br>1.7半导体制造中使用的化学品<br>1.8半导体制造的生产环境<br>1.8.1净化间沾污类型<br>1.8.2污染源与控制<br>1.8.3典型的纯水制备方法<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第2章半导体制造工艺概况<br><br>2.1引言<br>2.2器件的隔离<br>2.2.1PN结隔离<br>2.2.2绝缘体隔离<br>2.3双极型集成电路制造工艺<br>2.4CMOS器件制造工艺<br>2.4.120世纪80年代的CMOS<br>工艺技术<br>2.4.220世纪90年代的CMOS<br>工艺技术<br>2.4.321世纪初的CMOS工艺<br>技术<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第3章清洗工艺<br><br>3.1引言<br>3.2污染物杂质的分类<br>3.2.1颗粒<br>3.2.2有机残余物<br>3.2.3金属污染物<br>3.2.4需要去除的氧化层<br>3.3清洗方法<br>3.3.1RCA清洗<br>3.3.2稀释RCA清洗<br>3.3.3IMEC清洗<br>3.3.4单晶圆清洗<br>3.3.5干法清洗<br>3.4常用清洗设备——超声波清洗<br>设备<br>3.4.1超声波清洗原理<br>3.4.2超声波清洗机<br>3.4.3超声波清洗机的工艺流程<br>3.4.4超声波清洗机的操作流程<br>3.4.5其他清洗设备<br>3.5清洗的质量控制<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第4章氧化<br><br>4.1引言<br>4.2二氧化硅膜的性质<br>4.3二氧化硅膜的用途<br>4.4热氧化方法及工艺原理<br>4.4.1常用热氧化方法及工艺<br>原理<br>4.4.2影响氧化速率的因素<br>4.5氧化设备<br>4.6氧化工艺操作流程<br>4.7氧化膜的质量控制<br>4.7.1氧化膜厚度的测量<br>4.7.2氧化膜缺陷类型及检测<br>4.7.3不同方法生成的氧化膜特性<br>比较<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第5章化学气相淀积<br><br>5.1引言<br>5.1.1薄膜淀积的概念<br>5.1.2常用的薄膜材料<br>5.1.3半导体制造中对薄膜的<br>要求<br>5.2化学气相淀积（CVD）原理<br>5.2.1化学气相淀积的概念<br>5.2.2化学气相淀积的原理<br>5.3化学气相淀积设备<br>5.3.1APCVD<br>5.3.2LPCVD<br>5.3.3等离子体辅助CVD<br>5.4CVD工艺流程及设备操作<br>规范<br>5.5外延<br>5.5.1外延的概念、作用、原理<br>5.5.2外延生长方法<br>5.5.3硅外延工艺<br>5.6CVD质量检测<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第6章金属化<br><br>6.1引言<br>6.1.1金属化的概念<br>6.1.2金属化的作用<br>6.2金属化类型<br>6.2.1铝<br>6.2.2铝铜合金<br>6.2.3铜<br>6.2.4阻挡层金属<br>6.2.5硅化物<br>6.2.6钨<br>6.3金属淀积<br>6.3.1蒸发<br>6.3.2溅射<br>6.3.3金属CVD<br>6.3.4铜电镀<br>6.4金属化流程<br>6.4.1传统金属化流程<br>6.4.2双大马士革流程<br>6.5金属化质量控制<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第7章光刻<br><br>7.1引言<br>7.1.1光刻的概念<br>7.1.2光刻的目的<br>7.1.3光刻的主要参数<br>7.1.4光刻的曝光光谱<br>7.1.5光刻的环境条件<br>7.1.6掩膜版<br>7.2光刻工艺的基本步骤<br>7.3正性光刻和负性光刻<br>7.3.1正性光刻和负性光刻的<br>概念<br>7.3.2光刻胶<br>7.3.3正性光刻和负性光刻的<br>优缺点<br>7.4光刻设备简介<br>7.4.1接触式光刻机<br>7.4.2接近式光刻机<br>7.4.3扫描投影光刻机<br>7.4.4分步重复光刻机<br>7.4.5步进扫描光刻机<br>7.5光刻工艺机简介及操作流程<br>7.5.1URE2000/25光刻机<br>简介<br>7.5.2光刻机操作流程<br>7.6光刻质量控制<br>7.6.1光刻胶的质量控制<br>7.6.2对准和曝光的质量控制<br>7.6.3显影检查<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第8章刻蚀<br><br>8.1引言<br>8.1.1刻蚀的概念<br>8.1.2刻蚀的要求<br>8.2刻蚀工艺<br>8.2.1湿法刻蚀<br>8.2.2干法刻蚀<br>8.2.3两种刻蚀方法的比较<br>8.3干法刻蚀的应用<br>8.3.1介质膜的刻蚀<br>8.3.2多晶硅膜的刻蚀<br>8.3.3金属的干法刻蚀<br>8.3.4光刻胶的去除<br>8.4刻蚀设备<br>8.5干法刻蚀工艺流程及设备操作<br>规范<br>8.6刻蚀的质量控制<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第9章掺杂<br><br>9.1引言<br>9.2扩散<br>9.2.1扩散原理<br>9.2.2扩散工艺步骤<br>9.2.3扩散设备、工艺参数及其<br>控制<br>9.2.4常用扩散杂质源<br>9.3离子注入<br>9.3.1离子注入原理<br>9.3.2离子注入的重要参数<br>9.3.3离子注入掺杂工艺与扩散<br>掺杂工艺的比较<br>9.4离子注入机<br>9.4.1离子注入机的组成及工作<br>原理<br>9.4.2离子注入工艺及操作<br>规范<br>9.4.3离子注入使用的杂质源及<br>注意事项<br>9.5退火<br>9.6离子注入关键工艺控制<br>9.7离子注入的应用<br>9.7.1沟道区及阱区掺杂<br>9.7.2多晶硅注入<br>9.7.3源漏区注入<br>9.8掺杂质量控制<br>9.8.1结深的测量及分析<br>9.8.2掺杂浓度的测量<br>9.8.3污染<br>本章小结<br>本章习题<br><br>第10章平坦化<br><br>10.1引言<br>10.2传统平坦化技术<br>10.2.1反刻<br>10.2.2玻璃回流<br>10.2.3旋涂玻璃法<br>10.3化学机械平坦化<br>10.3.1CMP优点和缺点<br>10.3.2CMP机理<br>10.3.3CMP设备<br>10.3.4CMP工艺流程及工艺<br>控制<br>10.3.5CMP应用<br>10.4CMP质量控制<br>10.4.1膜厚的测量及非均匀性<br>分析<br>10.4.2硅片表面状态的观测方法<br>及分析<br>本章小结<br>本章习题<br>第11章工艺模拟<br><br>11.1引言<br>11.1.1工艺模型<br>11.1.2工艺模拟器简介<br>11.1.3Athena 基础<br>11.2氧化工艺模拟<br>11.3淀积工艺模拟<br>11.4光刻工艺模拟<br>11