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出版时间 :
微电子工艺原理与技术
0.00     定价 ¥ 78.00
罗湖图书馆
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  • ISBN:
    9787560390673
  • 出 版 社 :
    哈尔滨工业大学出版社
  • 出版日期:
    2021-08-01
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作者简介
  田丽,黑龙江省哈尔滨市人,1973年生,工学博士。中共党员,哈尔滨工业大学航天学院微电子科学与工程系教授级高工。编著出版多部教材,建设两门***/省部级精品在线开放课程。在Microfluidics、功能薄膜开发与应用等微纳技术领域主持、参与国家、省自然科学基金,航天创新基金等省部级科研项目,在国内外期刊杂志上发表学术论文30余篇。获得省部级教材成果二等奖,校优秀教学成果一等奖。
  
  王蔚,上海市人,1960年生,工学博士。哈尔滨工业大学航天学院微电子科学与工程系教授级高工。主持完成两门***,省部级精品在线开放课程建设,主编出版多部教材以及数字教材,推动混合式教学模式改革。在MEMS、微纳器件与系统、微流控芯片系统等方面先后承担、参与863计划、国家自然科学基金,以及省部级和学校项目等。获得黑龙江省优秀高教科研成果二等奖;被电子工业出版社评为“优秀作译者”。
  
  刘红梅,辽宁省大连市人,1976年生,工学博士。黑龙江大学电子工程学院副教授、硕士研究生导师。参与***和省级项目10余项,发表学术论文20余篇,出版教材1部,获得黑龙江省科技进步二等奖,多次获得黑龙江大学“本科教学工作优秀奖”。研究方向:传感器MEMS技术。
  
  任明远,黑龙江省哈尔滨市人,1978年生,工学博士。哈尔滨理工大学软件与微电子学院副教授,硕士研究生导师。主持并完成黑龙江省自然科学基金等项目5项。近年来以首作者或通信作者发表SCI论文10篇,EI论文20篇,申请发明专利10项,出版教材3部。研究方向:传感器接口集成电路设计。
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目录
绪论
0.1 何谓微电子工艺
0.2 微电子工艺发展历程
0.3 微电子工艺特点
0.4 内容结构

第1篇 硅衬底
第1章 单晶硅特性
1.1 硅晶体的结构特点
1.2 硅晶体缺陷
1.3 硅晶体中的杂质
本章小结
第2章 硅片的制备
2.1 多晶硅的制备
2.2 单晶硅生长
2.3 切制硅片
本章小结
第3章 外延
3.1 概述
3.2 气相外延
3.3 分子束外延
3.4 其他外延方法
3.5 外延缺陷与外延层检测
本章小结
习题

第2篇 氧化与掺杂
第4章 热氧化
4.1 二氧化硅薄膜概述
4.2 硅的热氧化
4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备
4.4 热氧化过程中杂质的再分布
4.5 氧化层的质量及检测
4.6 其他氧化方法
本章小结
第5章 扩散
5.1 扩散机构
5.2 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程
5.3 杂质的扩散掺杂
5.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素
5.5 扩散工艺条件与方法
5.6 扩散工艺质量与检测
5.7 扩散工艺的发展
本章小结
第6章 离子注入
6.1 概述
6.2 离子注入原理
6.3 注入离子在靶中的分布
6.4 注入损伤
6.5 退火
6.6 离子注入设备与工艺
6.7 离子注入的其他应用
6.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
本章小结
习题
……

第3篇 薄膜制备
第4篇 光刻技术
第5篇 工艺集成与封装测试

参考文献
附录
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