叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990—1992年留学美国麻省理工学院(MIT)；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料科学与工程学系系主任。
1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作。主要研究：半导体薄膜制备、物性调控与光电应用。现兼任中国电子学会理事，中国能源学会常务理事，中国电子材料委员会副主任，《材料科学与工程学报》主编，J．Mater．Sci．&Tectl．和《半导体学报》编委等。
在国内率先开展氧化锌薄膜p型掺杂研究，开发出具有自主知识产权的p型掺杂系列核心技术，率先研制了氧化锌LED原型器件并实现室温电致发光；发展了组分调控氧化锌薄膜光电性能的技术，透明导电薄膜的实际应用效果良好；自主发展了高真空CVD薄膜技术并在全国推广应用；研制了一系列硅基薄膜材料与器件。负责的Zn()研究工作被国家自然科学基金委评为“光电功能材料重大计划”5个亮点成果之一。先后承担国家“973”课题2项、国家自然基金10项(重点项目3项)、省部级科研项目40多项。“氧化锌基材料生长、p型掺杂与室温电致发光研究”获2007年国家自然科学二等奖，此外在薄膜制备与光电应用方面还获得浙江省科技一等奖3项，省部级科技二等奖3项。授权国家发明专利60多项。出版学术著作2本，参编3本。发表SCI收录论文400余篇，其中Adv．Mater．，NanoLett．，JACS，APL等国际著名期刊论文100余篇；论文被他引56()O余次，其中sCI他引4000余次。国际大会报告40余次，邀请报告20余次。
1994一年被评为国家重点实验室全国先进工作者并获“金牛奖”；1995年选为浙江省首批“中青年学术带头人”；1996年人选教育部“跨世纪优秀人才”；1997年入选国家“百千万人才工程”；1997年享受国务院特殊津贴。2006年被聘为浙江大学首批求是特聘教授；2007年选为浙江省突出贡献中青年专家；2008年被评为浙江省特级专家，获浙江省优秀回国人员称号；2008年、2010年获中国百篇优秀博士论文提名奖指导教师；2012年评为浙江大学“三育人”标兵、浙江省“三育人”先进个人、全国宝钢优秀教师；2013年评为浙江省师德先进个人。

第1章 真空技术
§1.1 真空的基本概念
1.1.1 真空的定义
1.1.2 真空度单位
1.1.3 真空区域划分
§1.2 真空的获得
§1.3 真空度测量
1.3.1 热传导真空计
1.3.2 热阴极电离真空计
1.3.3 冷阴极电离真空计
§1.4 真空度对薄膜工艺的影响
参考文献
第2章 蒸发技术
§2.1 发展历史与简介
§2.2 蒸发的种类
2.2.1 电阻热蒸发
2.2.2 电子束蒸发
2.2.3 高频感应蒸发
2.2.4 激光束蒸发
2.2.5 反应蒸发
§2.3 蒸发的应用实例
2.3.1 Cu(In，Ga)Se2薄膜
2.3.2 ITO薄膜
参考文献
第3章 溅射技术
§3.1 溅射基本原理
§3.2 溅射主要参数
3.2.1 溅射阈和溅射产额
3.2.2 溅射粒子的能量和速度
3.2.3 溅射速率和淀积速率
§3.3 溅射装置及工艺
3.3.1 阴极溅射
3.3.2 三极溅射和四极溅射
3.3.3 射频溅射
3.3.4 磁控溅射
3.3.5 反应溅射
§3.4 离子成膜技术
3.4.1 离子镀成膜
3.4.2 离子束成膜
§3.5 溅射技术的应用
3.5.1 溅射生长过程
3.5.2 溅射生长Zn()薄膜的性能
参考文献
第4章 化学气相沉积
§4.1 概述
§4.2 硅化学气相沉积
4.2.1 CVD反应类型
4.2.2 CVD热力学分析
4.2.3 CVD动力学分析
4.2.4 a；同硅源的外延生长
4.2.5 成核
4.2.6 掺杂
4.2.7 外延层质量
4.2.8 生长工艺
§4.3 CVD技术的种类
4.3.1 常压CVD
4.3.2 低压CVD
4.3.3 超高真空CVD
§4.4 能量增强CVD技术
4.4.1 等离子增强CVD
4.4.2 光增强CVD
§4.5 卤素输运法
4.5.1 氯化物法
4.5.2 氢化物法
§4.6 MOCVD技术
4.6.1 MOCVD简介
4.6.2 MOCVD生长GaAs
4.6.3 MOCVD生长GaN
4.6.4 MOCVD生长ZnO
§4.7 特色CVD技术
4.7.1 选择外延CVD技术
4.7.2 原子层外延
参考文献
第5章 脉冲激光沉积
§5.1 脉冲激光沉积概述
§5.2 PLD的基本原理
5.2.1 激光与靶的相互作用
5.2.2 烧蚀物的传输
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
§5.3 颗粒物的抑制
§5.4 PLD在Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜中的应用
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
5.4.2 其他Ⅱ一Ⅵ族化合物的PLD生长
参考文献
第6章 分子束外延
§6.1 引 言
§6.2 分子束外延的原理和特点
§6.3 外延生长设备
§6.4 分子束外延生长硅
6.4.1 表面制备
6.4.2 外延生长
6.4.3 掺杂
6.4.4 外延膜的质量诊断
§6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构
6.5.1 MBE生长GaAs
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs
6.5.3 MBE生长GaN
§6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构
6.6.1 }tgCdTe材料
6.6.2 CdTe／Si的外延生长
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长
6.6.4 ZnSe、ZnTe
6.6.5 ZnO薄膜
§6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
6.7.1 SiC材料
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点
6.7.3 生长有机半导体薄膜
参考文献
第7章 液相外延
§7.1 液相外延生长的原理
7.1.1 液相外延基本概况
7.1.2 硅液相外延生长的原理
§7.2 液相外延生长方法和设备
§7.3 液相外延生长的特点
§7.4 液相外延的应用实例
7.4.1 硅材料
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料
7.4.3 碲镉汞材料
7.4.4 SiC材料
参考文献
第8章 湿化学制备方法
§8.1 溶胶一凝胶技术
8.1.1 Sol-Gel的生长机制
8.1.2 Sol-Gel的工艺过程
8.1.3 Sol-Gel合成TiO2薄膜
8.1.4 Sol-Gel的优点和缺点
§8.2 喷雾热分解技术
8.2.1 喷雾热分解的种类
8.2.2 喷雾热分解的生长过程
8.2.3 喷雾热分解的应用介绍
8.2.4 喷雾热分解制备ZnO薄膜
§8.3 液相电沉积技术
8.3.1 电沉积简介
8.3.2 电沉积制备类金刚石薄膜
参考文献
第9章 半导体超晶格和量子阱
§9.1 引 言
§9.2 半导体超晶格、量子阱的概念和分类
9.2.1 组分超晶格
9.2.2 掺杂超晶格
9.2.3 应变超晶格
9.2.4 调制掺杂超晶格
§9.3 半导体超晶格、量子阱的量子特性
9.3.1 量子约束效应
9.3.2 量子隧穿和超晶格微带效应
9.3.3 共振隧穿效应
§9.4 半导体超晶格、量子阱的结构和器件应用介绍
9.4.1 GaAs／AlxGa1-xAs体系
9.4.2 ZnSe基异质结、量子阱结构
参考文献
第lO章 半导体器件制备技术
§10.1 衬底材料的清洗
§10.2 发光二极管
10.2.1 GaN基LED
10.2.2 ZnO基LED
10.2.3 白光LED
§10.3 薄膜晶体管