前言
第1章绪论1
11电力电子器件和电力电子学1
12功率半导体器件的定义1
13功率半导体器件的种类2
14功率整流管3
141单极型功率二极管3
142双极型功率二极管4
15功率半导体开关器件5
151晶闸管类功率半导体器件5
152双极型功率晶体管7
153功率MOSFET7
154IGBT8
16硅功率集成电路9
17碳化硅功率开关11
18功率半导体器件的发展12
181功率半导体器件的发展历程12
182功率半导体器件的发展趋势12
参考文献13
第2章单极型功率二极管14
21功率肖特基二极管14
211功率肖特基二极管的结构14
212正向导通状态15
213反向阻断特性18
22结势垒控制肖特基（JBS）二极管20
221JBS二极管的结构20
222正向导通模型22
223反向漏电流模型30
23沟槽肖特基势垒控制肖特基（TSBS）二极管43
24沟槽MOS势垒控制肖特基（TMBS）二极管44
参考文献46
第3章双极型功率二极管47
31PiN二极管的结构与静态特性47
311PiN二极管的结构47
312PiN二极管的反向耐压特性48
313PiN二极管通态特性49
32碳化硅PiN二极管59
33PiN二极管的动态特性60
331PiN二极管的开关特性61
332PiN二极管的动态反向特性63
34PiN二极管反向恢复过程中电流的瞬变67
35现代PiN二极管的设计70
351有轴向载流子寿命分布的二极管70
352SPEED结构72
36MPS二极管73
361MPS二极管的工作原理74
362碳化硅MPS整流器91
363反向阻断特性99
364开关特性107
参考文献109
第4章晶闸管110
41概述110
411晶闸管基本结构和基本特性110
412基本工作原理112
42晶闸管的耐压能力113
421PNPN结构的反向转折电压113
422PNPN结构的正向转折电压115
423晶闸管的高温特性117
43晶闸管最佳阻断参数的确定119
431最佳正、反向阻断参数的确定119
432λ因子设计法121
433关于阻断参数优化设计法的讨论123
434P2区相关参数的估算124
435表面耐压和表面造型126
44晶闸管的门极特性与门极参数的计算128
441晶闸管的触发方式128
442门极参数131
443门极触发电流、触发电压的计算132
444中心放大门极触发电流、电压的计算134
45晶闸管的通态特性137
451通态特征分析137
452计算晶闸管正向压降的模型138
453正向压降的计算140
46晶闸管的动态特性144
461晶闸管的导通过程与特性144
462通态电流临界上升率152
463断态电压临界上升率155
464关断特性157
47晶闸管的派生器件162
471快速晶闸管163
472双向晶闸管164
473逆导晶闸管169
474门极关断（GTO）晶闸管174
475门极换流晶闸管193
参考文献194
第5章现代功率半导体器件195
51功率MOSFET195
511功率MOSFET的结构195
512功率MOSFET的基本特性197
513VDMOSFET的导通电阻198
514VDMOSFET元胞的优化203
515VDMOSFET阻断电压影响因素分析204
516功率MOSFET的开关特性205
52绝缘栅双极型晶体管（IGBT）210
521IGBT的基本结构210
522IGBT的工作原理与输出特性212
523IGBT的阻断特性213
524IGBT的通态特性215
525IGBT的开关特性220
526擎住效应226
参考文献228
第6章功率半导体器件应用综述229
61典型H桥拓扑230
62低直流总线电压下的应用232
63中等直流总线电压下的应用234
64高直流总线电压下的应用235
参考文献237